金属基底冠顺同一方向打磨时，通常用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物，用钨钢钻去除贵金属表面的氧化物。在进行打磨时应按一个方向均匀地打磨金-瓷结合部不合要求的外形，不可有多方向打磨，否则基底冠内存有气泡，会导致瓷层烧结时金瓷结合界面产生气泡。